日前，网通社从官方获悉，安森美半导体在APEC 2021发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案。新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，传播延迟为60 ns。

安森美半导体的 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件在开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 (EMI) 得以改善，并减小系统尺寸和重量。